新竹裝潢設計公司最新消息

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在第64屆國際電子器件會議（IEDM）上，全球兩大半導體龍頭英特爾及三星展示嵌入式MRAM在邏輯芯片制造工藝中的新技術。MRAM（MagneticRandomAccessMemory，磁阻式隨機存取存儲），是一種非易失性存儲技術，從1990年代開始發展。此技術速度接近靜態隨機存儲的高速讀取寫入能力，具有閃存的非揮發性，容量密度及使用壽命不輸DRAM，但平均能耗遠低于DRAM，而且基本上可以無限次地重復寫入。英特爾曾表示其嵌入式MRAM技術可在200℃下實現長達10年的記憶期，并可在超過106個開關周期內實現持久性。并且英特爾在其22FFL工藝中，描述STT-MRAM（基于MRAM的自旋轉移力矩）非易失性存儲的關鍵特性。英特爾稱之其為首款基于FinFET的MRAM技術。

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